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金剛石具有寬帶隙,高熱導(dǎo)率,高載流子遷移率,低介電常數(shù)等優(yōu)越特性,在各領(lǐng)域中有著巨大的應(yīng)用價值。其中,金剛石單晶更以其沒有晶界和較低的缺陷密度而成為目前金剛石在高功率及高頻電子器件等領(lǐng)域中應(yīng)用的最佳選擇。近年來,化學(xué)氣相沉積方法同質(zhì)外延金剛石單晶的研究取得了長足的發(fā)展,但由于由高溫高壓方法制備的金剛石單晶基片在尺寸和價格兩方面都難以滿足需求,在很大程度上限制了同質(zhì)外延方法人工合成大尺寸單晶金剛石膜的發(fā)展。
寬砂帶,鋯剛玉砂帶,碳化硅砂帶,堆積磨料砂帶,陶瓷磨料砂帶,棕剛玉砂帶
金剛石的異質(zhì)外延涉及了異質(zhì)外延基片的制備,偏壓加強形核以及金剛石生長等多個階段。盡管利用自行研制的偏壓加強MPCVD裝置在Ir表面實現(xiàn)了金剛石的異質(zhì)外延形核。但要實現(xiàn)大面積異質(zhì)外延高品質(zhì)單晶金剛石膜,還有很遠(yuǎn)的路要走。德國奧格斯堡大學(xué)技術(shù)團隊能夠制備出直徑92mm,155ct的金剛石圓片整整花費了26年的時間。我國在這一領(lǐng)域起步較晚,但是我們一定要有奮起直追的精神,早日實現(xiàn)我國超大尺寸單晶片和超大鉆石的制備,促進(jìn)我國相關(guān)行業(yè)的進(jìn)步。